特許

J-GLOBAL ID：200903001394569315

半導体ウェハを個々分割するための装置および方法

発明者： ラン マナー
出願人/特許権者： アドヴァンスド ダイシング テクノロジーズ, リミテッド
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-299916
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066751
出願日： 2007年11月19日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：

【課題】ダイシングプロセスを最適化し且つ半導体ウェハのボトムサイドチッピング(BSC)を最小限にとどめること。【解決手段】半導体基板をダイシングする方法は、層に亘ってレーザービームをスキャンすることによって、層の第1の方向に第1の組のスクライブラインを形成し、レーザービームが層の少なくとも一部を取り除き、層に亘ってレーザービームをスキャンすることによって、層の第2の方向に第2の組のスクライブラインを形成し、レーザービームで層の少なくとも一部を取り除き、ソーブレードで第2の組のスクライブラインに沿って基板をカットし、第1の組の切溝のそれぞれを形成し、ソーブレードで第1の組のスクライブラインに沿って基板をカットし、第2の組の切溝のそれぞれを形成する。基板は、レーザービームの波長に対した第2の吸収係数を有し、第2の吸収係数が、第1の吸収係数より約1桁小さい。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

本願明細書に記載の半導体基板をダイシングする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/00

FI (4件)：

H01L21/78 Q ,  B23K26/00 D ,  H01L21/78 L ,  H01L21/78 B

Fターム (8件)：

4E068AA03 ,  4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068CA01 ,  4E068CA09 ,  4E068CA17 ,  4E068CD03 ,  4E068DA10