特許

J-GLOBAL ID：200903001394749151

酸化物被膜形成用塗布液、酸化物被膜の製造法、酸化物被膜及び半導体装置

発明者： 山本 靖浩 ,  森嶋 浩之 ,  成田 武憲 ,  野部 茂
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-196207
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036769
出願日： 1996年07月25日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：

【要約】【課題】 金属配線との接着性を向上させ、熱的に安定で成膜性の良好な酸化物被膜形成用塗布液、金属配線との接着性がすぐれ、成膜が容易な酸化物被膜の製造法及び酸化物被膜並びに金属配線との接着性がすぐれ、成膜が容易な酸化物被膜をを有し、信頼性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)一般式(I)【化1】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜2の整数を意味する)で表されるアルコキシシラン化合物を加水分解、重縮合させて得られるアルコキシシランオリゴマーと(B)一般式(II)【化2】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、mは1又は2を意味する)で表されるアルコキシシラン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物及びジルコニウム錯体化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有してなる酸化物被膜形成用塗布液、この塗布液を、基体表面上に塗布後50〜200°Cで乾燥し、ついで300〜1000°Cで焼成する酸化物被膜の製造法、この酸化物被膜の製造法により作製される酸化物被膜及びこの酸化物被膜を多層配線構造の層間絶縁層として用いた半導体装置。

請求項（抜粋）：

(A)一般式(I)【化1】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、nは0〜2の整数を意味する)で表されるアルコキシシラン化合物を加水分解、重縮合させて得られるアルコキシシランオリゴマーと(B)一般式(II)【化2】(式中Rは、炭素数1〜4のアルキル基、mは1又は2を意味する)で表されるアルコキシシラン化合物、アミノアルキルアルコキシシラン化合物及びジルコニウム錯体化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有してなる酸化物被膜形成用塗布液。

IPC (3件)：

C09D183/04 PMT ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

C09D183/04 PMT ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/88 K