特許

J-GLOBAL ID：200903001398557516

光半導体素子の製造方法

発明者： 増井 真由美 ,  渋谷 佳樹
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-060412
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267720
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 トランスファー・モールド成形時の樹脂硬化に伴う、光半導体チップへの応力を緩和させて、光出力の低下を防止した光半導体素子を得る。【構成】 光半導体チップ12を光透過性樹脂でトランスファー・モールドする光半導体素子の製造方法において、加熱したキャビテイ10内に光半導体チップ12およびチップ12を搭載した電極リード11a,11bの一部を収納した後、キャビテイ10内に低応力光透過性樹脂20aを導入して、光半導体チップ12の表面を低応力光透過性樹脂20aで被覆し、次いで高耐湿性光透過性樹脂20bをキャビテイ10内に導入して、低応力光透過性樹脂20aで包囲された光半導体チップ12の外側を高耐湿性光透過性樹脂20bで包囲するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

光半導体チップを光透過性樹脂でトランスファー・モールドする光半導体素子の製造方法において、加熱したキャビテイ内に前記光半導体チップおよび該チップを搭載した電極リードの一部を収納した後、前記キャビテイ内に低応力光透過性樹脂を導入して、前記光半導体チップの表面を該低応力光透過性樹脂で被覆し、次いで高耐湿性光透過性樹脂を前記キャビテイ内に導入して前記低応力光透過性樹脂で包囲された前記光半導体チップの外側を該高耐湿性光透過性樹脂で包囲することを特徴とする光半導体素子の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-078894
  
• 特開昭50-117193
  
• 特開平4-224497