特許
J-GLOBAL ID：200903001398941227
半導体装置の実装方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-250685
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090443
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の形態に制約されることなく、高密度かつ低温で基板の回路パターンに実装することが可能な半導体装置の実装方法を提供する。【構成】回路パターンを有する基板に電極部を有する半導体装置を実装する方法において、前記基板の回路パターン上に接着性樹脂薄膜パターンを形成する工程と、前記接着性樹脂薄膜パターンに複数の導電性粒子を互いに接触すると共に単一の層形態となるように接着させる工程と、前記基板の回路パターンに前記半導体装置の電極部を前記導電性粒子を挟んで対向させる工程と、前記導電性粒子近傍の前記基板と前記半導体装置の間に未硬化樹脂を供給する工程と、前記半導体装置の電極部を前記導電性粒子を介して前記基板の回路パターンに圧接した状態で前記未硬化樹脂を硬化させて前記基板と前記半導体装置を前記導電性粒子を挟んで互いに接着、固定する工程と具備したことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
回路パターンを有する基板に電極部を有する半導体装置を実装する方法において、前記基板の回路パターン上に接着性樹脂薄膜パターンを形成する工程と、前記接着性樹脂薄膜パターンに複数の導電性粒子を互いに接触すると共に単一の層形態となるように接着させる工程と、前記基板の回路パターンに前記半導体装置の電極部を前記導電性粒子を挟んで対向させる工程と、前記導電性粒子近傍の前記基板と前記半導体装置の間に未硬化樹脂を供給する工程と、前記半導体装置の電極部を前記導電性粒子を介して前記基板の回路パターンに圧接した状態で前記未硬化樹脂を硬化させて前記基板と前記半導体装置を前記導電性粒子を挟んで互いに接着、固定する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の実装方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 21/52
, H01L 21/60 311
