特許

J-GLOBAL ID：200903001404777582

フレキシブルハイブリッドメモリエレメント

発明者： ワレン・ビー・ジャクソン ,  カール・フィリップ・トウシグ ,  クレイグ・パーロフ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 聡 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-050559
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273322
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】製造コストが低い廉価なメモリセルアレイを提供するための装置及び方法の提供。【解決手段】本発明はメモリセル装置、及びメモリセルを形成する方法を含む。メモリセル装置はフレキシフ ゙ルハイフ ゙リット ゙メモリエレメントを含む。フレキシフ ゙ルハイフ ゙リット ゙メモリエレメントは、フレキシフ ゙ル基板(310)に隣接して形成された第1のフレキシフ ゙ル導電層(320)を含む。フレキシフ ゙ルタ ゙イオート ゙構造(330)が第1のフレキシフ ゙ル導体(320)に隣接して形成される。フレキシフ ゙ルスイッチ(350)がフレキシフ ゙ルタ ゙イオート ゙構造(330)に隣接して形成される。第2のフレキシフ ゙ル導電層(360)がフレキシフ ゙ルスイッチ(350)に隣接して形成される。フレキシフ ゙ルスイッチ(350)は一般に有機材料から形成される。フレキシフ ゙ルタ ゙イオート ゙構造(330)は一般に、無秩序な無機材料から形成される。フレキシフ ゙ルスイッチ(350)は、閾値量の電流がフレキシフ ゙ルスイッチ(330)を流れる際に高抵抗の経路を生じるように形成され得るか、又はフレキシフ ゙ルスイッチ(330)は、閾値量の電流がフレキシフ ゙ルスイッチ(330)を流れる際に低抵抗の経路を生じるように形成され得る。

請求項（抜粋）：

フレキシブルハイブリッドメモリエレメントからなるメモリ装置であって、そのフレキシブルハイブリッドメモリエレメントが、フレキシブル基板(310)に隣接して形成される第1のフレキシブル導電層(320)と、前記第1のフレキシブル導電層(320)に隣接して形成されるフレキシブルダイオード構造(330)と、前記フレキシブルダイオード構造(330)に隣接して形成されるフレキシブルスイッチ層(350)と、および前記フレキシブルスイッチ層(350)に隣接して形成される第2のフレキシブル導電層(360)とからなる、メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 27/10 421 ,  H01L 27/10 495 ,  G11C 13/00 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 27/10 421 ,  H01L 27/10 495 ,  G11C 13/00 A ,  H01L 29/91 E

Fターム (4件)：

5F083CR15 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39