特許

J-GLOBAL ID：200903001405145920

薄膜形成方法及び光電変換素子

発明者： 柳澤 匡浩
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 池浦 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062084
公開番号（公開出願番号）：特開2001-247314
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月11日
要約：

【要約】【課題】 従来と比較して低い温度で作製が可能で、例えばプラスチックフィルムなどの耐熱性のない基板上でも成膜可能な酸化チタン薄膜の作製方法、及びその方法で作製された光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも過酸化チタンを含む塗布液を基板上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜に光照射することで酸化チタン薄膜に変化させることを特徴とする薄膜形成方法。金属酸化物半導体電極と、その表面に吸着した色素と、酸化還元対を有する電解質と、対向電極とからなる光電変換素子において、金属酸化物半導体電極として、上記方法で形成した酸化チタン半導体電極を構成要素に持つことを特徴とする光電変換素子。

請求項（抜粋）：

少なくとも過酸化チタンを含む塗布液を基板上に塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜に光照射することで酸化チタン薄膜に変化させることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C01G 23/04 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (3件)：

C01G 23/04 C ,  H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (13件)：

4G047CA02 ,  4G047CB05 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G047CD07 ,  5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB07 ,  5H032CC16 ,  5H032EE13 ,  5H032EE16