半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071840
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275548
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】アルミニウム配線層間絶縁膜としてのポリイミド樹脂層とカバー膜としてのシリコン窒化膜との境界付近に発生する電荷による電界を遮へいし、LSIの電源間電流リークを防止できる半導体素子を提供する。【構成】第1のアルミニウム配線6が形成されていない、フィールド酸化膜3上のアルミニウム配線の絶縁膜であるポリイミド樹脂層8中に、薄いアルミニウム膜9を形成したことを特徴とする。【効果】カバー膜のプラズマCVD法により成長したシリコン窒化膜とポリイミド樹脂層との境界面付近の膜に発生する正極性の帯電現象による半導体基板方向への電界を遮へいし、フィールド酸化膜下に寄生的に存在するMOS型トランジスタのしきい値電圧の低下を防ぎ、LSIの電源間電流リークを防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子上に形成された第1のアルミニウム配線と、該第1のアルミニウム配線の形成された半導体素子表面に形成された層間絶縁膜としてのポリイミド樹脂層と、該ポリイミド樹脂層上に形成された第2のアルミニウム配線層と、半導体素子カバー膜としてプラズマCVD法により成長した絶縁膜とを有する半導体素子において、前記層間絶縁膜中に金属膜などの導電性を有する膜を含むことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 21/90 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 S , H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭54-128687
特開平3-176575
特開昭58-075848

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