特許
J-GLOBAL ID:200903001415019019

半導体素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小池 隆彌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-324308
公開番号(公開出願番号):特開平11-162925
出願日: 1997年11月26日
公開日(公表日): 1999年06月18日
要約:
【要約】【課題】 エッチング後の転写の回数を削減し、作業性を向上させる。【解決手段】 半導体チップを紫外線硬化型粘着シートに貼り付ける工程と、紫外線を照射して前記粘着シートを硬化させる工程と、前記貼り付けられた半導体チップの側面をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
半導体チップを紫外線硬化型粘着シートに貼り付ける工程と、紫外線を照射して前記粘着シートを硬化させる工程と、前記貼り付けられた半導体チップの側面をエッチングする工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/306 ,  H01L 21/301
FI (3件):
H01L 21/306 A ,  H01L 21/78 P ,  H01L 21/78 S

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