特許
J-GLOBAL ID:200903001417722922

半導体製造装置用ステンレス鋼材の表面処理法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 植木 久一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-131441
公開番号(公開出願番号):特開平6-322512
出願日: 1993年05月07日
公開日(公表日): 1994年11月22日
要約:
【要約】【構成】 ステンレス鋼材の表面を、粒径1〜10μmの砥粒を用いて機械研磨し、該表面に形成される加工歪層のX線回折によるオーステナイト鉄の111面における回折線の半価幅2θを0.5度以上とした後、低酸素分圧雰囲気中で加熱処理することにより、厚みが200Å以上で且つ表面粗度Rmax が1μm以下であるCr主体の酸化皮膜を形成する。【効果】 Cl2 ,HCl,F2 等のハロゲン系ガスに対しても優れた耐食性を示し、且つ表面が平滑で水分等の吸着が起こり難く、半導体製造装置用として優れた性能の表面処理ステンレス鋼を得ることができる。
請求項(抜粋):
ステンレス鋼材の表面を、粒径1〜10μmの砥粒を用いて機械研磨し、該表面に形成される加工歪層のX線回折によるオーステナイト鉄の111面における回折線の半価幅2θを0.5度以上とした後、低酸素分圧雰囲気中で加熱処理することにより、厚みが200Å以上で且つ表面粗度Rmax が1μm以下であるCr主体の酸化皮膜を形成することを特徴とする半導体製造装置用ステンレス鋼材の表面処理法。
IPC (3件):
C23C 8/14 ,  C23C 14/00 ,  C23C 22/00

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