特許
J-GLOBAL ID：200903001417736982
プラズマ処理システムにおけるアークの抑制
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012751
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051101
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 2次プラズマを発生させない反応性イオンエッチングシステムを提供する。【構成】 反応性イオンエッチングないし磁気励起反応性イオンエッチングシステムは、カソード支持構造体と、カソードの周囲に配置される遮蔽構造体と、カソードと遮蔽構造体との間に配置される絶縁体と、絶縁体の上端面に組み合うクランピングリングとを有する。絶縁材は、外側に向かって遮蔽構造体とクランピングリングとの間に伸びる略円筒形のフランジを有する。クランピングリングと絶縁体の上端面とのギャップは、20/1000(約0.508mm)以下に制御されて、遮蔽構造体とカソードとの間のRF結合通路を制限する。更に、フランジは遮蔽構造体とカソードとの間のプラズマ伝導通路を遮蔽する作用を有する。遮蔽構造体とカソードとのプラズマ伝導を防止することにより、本発明に従った反応性イオンエッチングシステムでは、アーク発生や2次プラズマの発生がなく、高圧、高電力での操作が可能になる。
請求項（抜粋）：
イオン化ガスを含有する制御された大気圧よりも低い(subatmospferic)環境を与え、且つ高周波電力ソースと共に用いられるエッチングシステムであって、該環境内で該高周波電力ソースと結合してプラズマを励起するためのカソードと、該カソードの少なくとも一部と隣接し且つこの周囲に配置される遮蔽構造体であって、前記遮蔽構造体は前記カソードの電位とは異なる電位に維持可能な前記遮蔽構造体と、前記カソードと前記遮蔽構造体との間に配置される絶縁構造体と、を備え、前記絶縁構造体内部又は、前記絶縁構造体と前記カソード若しくは前記遮蔽構造体との間のギャップであって、前記ギャップは前記カソードと前記遮蔽構造体との間のガス流通路を画成し、並びに、前記ギャップは、2次プラズマを発生せしめる敷居値厚さよりも小さい通路の少なくとも一部に制限されるエッチングシステム。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
