特許
J-GLOBAL ID：200903001418029791
半導体力学量センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354811
公開番号（公開出願番号）：特開2001-165952
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 容量式の半導体加速度センサにおいて、温度変化に伴う可動電極と固定電極との検出間隔の変位を低減する。【解決手段】 支持基板としての第1シリコン基板に支持されるとともに加速度の印加に応じて所定方向へ変位する錘部21と、この錘部21より突出する梁状の可動電極24と、第1シリコン基板に支持されるとともに可動電極24と離間して対向配置された梁状の固定電極30、40とを備え、可動電極24が変位したとき、可動電極24と固定電極30、40との検出間隔の変化に基づいて印加加速度を検出する半導体加速度センサ100において、可動電極24を、その根元部と固定電極30、40に対向する対向部との間に、検出間隔の方向に沿って延びる棒部24aが形成されるようにL字形状に屈曲した形状としている。
請求項（抜粋）：
支持基板(11)上に半導体よりなる梁構造体を形成してなるものであって、前記梁構造体は、前記支持基板に支持されるとともに力学量の印加に応じて所定方向へ変位する錘部(21)と、この錘部より突出する可動電極(24)と、前記支持基板に支持されるとともに前記可動電極と離間して対向配置された固定電極(30、40)とを備えており、力学量の印加に応じて前記可動電極が変位したとき、前記可動電極と前記固定電極との間隔の変化に基づいて印加力学量を検出する半導体力学量センサにおいて、前記可動電極は、その根元部と前記固定電極に対向する対向部との間に、該対向部と前記固定電極とを離間させる方向に沿って延びる棒部(24a)を有した形状となっており、センサの使用温度が変化したとき、前記棒部がその長さ方向に変形することにより、前記可動電極の前記対向部は、該温度変化によって前記固定電極が変位する方向と同一方向へ変位するようになっていることを特徴とする半導体力学量センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 A
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA24
, 4M112CA26
, 4M112CA32
, 4M112DA02
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA14
, 4M112GA01
, 4M112GA03
