特許
J-GLOBAL ID：200903001418159156
熱光発電装置用光電変換素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-105408
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284616
出願日： 2000年04月03日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 表面でのキャリアの再結合損失を大幅に減少させ得る素子構造を有することで、TPV発電用に適したGeを材料として採用し且つ電極構造として裏面電極型を採用するのを可能にした光電変換素子を提供する。【解決手段】 この光電変換素子は、Ge基板10と、Ge基板10の裏面にそれぞれ独立して設けられたp型半導体層20及びn型半導体層22と、Ge基板10の裏面側に設けられ、それぞれp型半導体層20及びn型半導体層22に接続された正電極24及び負電極26と、Ge基板10の表面側に設けられた保護膜30と、を具備する。そして、Ge基板10と保護膜30との界面に水素又はハロゲンが含有され、または、Ge基板10と保護膜30との間にGe基板10よりも不純物濃度が高い半導体層が設けられる。
請求項（抜粋）：
熱源によって加熱された発光体からの輻射光を光電変換素子によって電力に変換する熱光発電装置に好適な光電変換素子であって、Ge基板と、前記Ge基板の裏面にそれぞれ独立して設けられたp型半導体層及びn型半導体層と、前記Ge基板の裏面側に設けられ、それぞれ前記p型半導体層及びn型半導体層に接続された正電極及び負電極と、前記Ge基板の表面側に設けられた保護膜と、を具備する光電変換素子。
Fターム (3件)：
5F051AA01
, 5F051DA03
, 5F051GA04
