特許
J-GLOBAL ID:200903001419704506
光学制御装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
足立 勉
, 竹中 謙史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-046895
公開番号(公開出願番号):特開2007-227638
出願日: 2006年02月23日
公開日(公表日): 2007年09月06日
要約:
【課題】 半導体レーザに通電してレーザ光を発生させる光学制御装置において、光量制御にオーバーシュートやアンダーシュートが生じるのを抑制して短時間で光量を調整可能にすること。【解決手段】 目標光量に対応する基準設定値と、レーザダイオードの光量に対応したモニタ値とを比較してレーザダイオードへの通電電流を調整する装置において、起動時には、上記目標光量に対応する値(75h)に向けて徐々に変化する基準設定値よりも10h小さいモニタ値を、実際のレーザダイオードの光量に対応したモニタ値の代わりに使用する。これによって、基準設定値とモニタ値との差が開きすぎて制御にオーバーシュートが生じるのを抑制し、延いては、光量を短時間で調整することが可能になる。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
通電電流に応じた強さのレーザ光を発生する半導体レーザと、
該半導体レーザから発生される光の光量を検出する光量検出手段と、
該光量検出手段が検出した光量が大きいほど高いモニタ電圧を発生するモニタ電圧発生手段と、
上記半導体レーザから発生すべき目標の光量が大きいほど高い基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、
上記モニタ電圧と上記基準電圧とを比較して、上記モニタ電圧が上記基準電圧に近付くように上記半導体レーザへの通電電流を制御する発光制御手段と、
を備えた光学制御装置であって、
少なくとも装置の起動時に、上記基準電圧よりも低く設定された擬似電圧を上記モニタ電圧の代わりに上記発光制御手段に入力する擬似電圧入力手段を、
備えたことを特徴とする光学制御装置。
IPC (4件):
H01S 5/068
, B41J 2/44
, H04N 1/113
, H04N 1/036
FI (4件):
H01S5/0683
, B41J3/00 D
, H04N1/04 104A
, H04N1/036 Z
Fターム (29件):
2C362AA55
, 2C362AA57
, 5C051AA02
, 5C051CA07
, 5C051DA01
, 5C051DB02
, 5C051DB07
, 5C051DB30
, 5C051DC03
, 5C051DC04
, 5C051DC05
, 5C051DE03
, 5C051DE30
, 5C072AA03
, 5C072BA03
, 5C072BA13
, 5C072BA17
, 5C072HA02
, 5C072HA13
, 5C072HB02
, 5F173SC07
, 5F173SE01
, 5F173SF03
, 5F173SF13
, 5F173SF32
, 5F173SF43
, 5F173SF64
, 5F173SJ06
, 5F173SJ17
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
レーザー描画装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-118575
出願人:三田工業株式会社
審査官引用 (6件)
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