特許
J-GLOBAL ID：200903001422415205
集積回路のための導電体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-542247
公開番号（公開出願番号）：特表2000-511350
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】IC回路の中の螺旋型インダクタすなわちコイル305のQ値が、トレンチ303をエッチングすることによってインダクタ305の下の半導体性基板301を部分的に除去することにより、そしてトレンチ303を分離用材料で再充填することにより、改良される。したはって基板301が原因で生ずる損失が減少し、そしてそれに応じてQ値が増大する。基板301に対する寄生静電容量がまた減少し、インダクタ305の共振周波数が増大し、そしてインダクタの動作の有効周波数範囲が拡大する。さらに、回路の中に多重層金属構造体の最も上の金属を用いることにより、損失および寄生静電容量がさらに加えて減少することがまた達成される。損失および静電容量の減少のために金属パターンの下にトレンチ303を用いることは、螺旋型インダクタの配置設計に限定されるわけではなく、任意の金属線路、接続パッドなどに用いることができる。
請求項（抜粋）：
電気的に半導体性である基板または半分離性である基板の上または中、特にシリコン基板の上、に作成された金属導電体を有する集積回路であって、基板よりも悪いまたは貧弱な導電性を有する導電体材料の薄いプレートが前記導電体の位置の基板の中に配置されることと、特に前記プレートが前記導電体の下に位置する基板の中にありそして電気的分離用の材料特に誘電体材料または半導体性材料で充填されたトレンチであることと、前記プレートが前記導電体の面またはその中の電流路に実質的に垂直に配置されること特に前記導電体の中の前記電流路に全体的に交差するように配置されることと、前記プレートが好ましくは前記電流路に実質的に垂直な方向および/または前記導電体の縦方向に延長されていることと、を特徴とする前記回路。
IPC (2件)：
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