半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185888
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051199
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】サブミクロン以下のMOS型半導体装置において、製造工程でのゲート絶縁膜破壊および劣化を抑制する。【構成】 P型シリコン基板1上にN型拡散層からなるソース5とドレイン6が形成されている。ソース5およびドレイン6に挟まれたチャネル領域上に20nm以下のゲート絶縁膜2が形成されている。ゲート絶縁膜2上にゲート電極3が形成されている。ゲート電極3の外側の部分に、ゲート絶縁膜2と同時に形成した絶縁膜4が延在して形成されている。ゲート絶縁膜2と同時に形成した絶縁膜4を残したまま、層間絶縁膜7が形成されている。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板内上に形成された20nm以下のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を少なくとも備え、前記ゲート絶縁膜と同時に形成された絶縁膜が、前記ゲート電極の外側に延在していることを特徴とする半導体装置。

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