特許

J-GLOBAL ID：200903001426136491

磁気抵抗素子

発明者： 池田 貴司
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-109571
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306374
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、比較的大きな磁気抵抗変化率を有し、かつ微細化しても、反磁界の増加を抑え、記録保存性の劣化の少ない磁気抵抗素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板10上に、第1の磁性層21、第2の磁性層22、非磁性層23、第3の磁性層24、第4の磁性層25が順に積層されている積層膜を有する磁気抵抗素子であって、第1の磁性層21と第2の磁性層22が、および第3の磁性層24と第4の磁性層25が、それぞれ交換結合しており、かつ第1の磁性層21および前記第4の磁性層25の両方が、膜面法線方向に磁気異方性を有することを特徴とする磁気抵抗素子。

請求項（抜粋）：

第1の磁性層、第2の磁性層、非磁性層、第3の磁性層、第4の磁性層が順に積層されている積層膜を有する磁気抵抗素子であって、前記第1の磁性層が前記第2の磁性層と、および前記第3の磁性層が前記第4の磁性層と、それぞれ交換結合しており、かつ前記第1の磁性層および前記第4の磁性層の両方が、膜面法線方向に磁気異方性を有することを特徴とする磁気抵抗素子。