特許

J-GLOBAL ID：200903001427951822

パターン形成方法

発明者： 竹内 幸一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318901
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134379
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 製造コストおよび処理時間を増加させることなく、微細なレジストパターンを基板面内において均一な寸法精度で形成することが可能なパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 リソグラフィー法によって光酸発生剤を含む第1レジストパターン2を基板1上に形成した後、酸と反応する架橋剤を含有するレジスト膜5を第1レジストパターン2を覆う状態で基板1上に塗布し、第1レジストパターン2とレジスト膜5との界面において架橋反応を発生させて架橋層7を成長させ、架橋層7と第1レジストパターン2とからなる第2レジストパターン10を形成するパターン形成方法において、基板1上にレジスト膜5を塗布する前に、第1レジストパターン2に光3を照射する工程を行う。

請求項（抜粋）：

光酸発生剤を含む第1レジストパターンを基板上に形成した後、酸と反応する架橋剤を含有するレジスト膜を前記第1レジストパターンを覆う状態で前記基板上に塗布し、前記第1レジストパターンと前記レジスト膜との界面において架橋反応を発生させて架橋層を成長させ、当該架橋層と前記第1レジストパターンとからなる第2レジストパターンを形成するパターン形成方法において、前記基板上に前記レジスト膜を塗布する前に、前記第1レジストパターンの露出表面に光を照射する工程を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/302 H

Fターム (13件)：

2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096BA20 ,  2H096EA04 ,  2H096GA08 ,  2H096HA03 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F004AA16 ,  5F004EA10 ,  5F004EA13 ,  5F004EA14 ,  5F046AA28