特許
J-GLOBAL ID：200903001432851658

有機半導体素子の製造方法

発明者：
永江 充孝

永江 充孝 について

, 
小林 弘典

小林 弘典 について

, 
松岡 雅尚

松岡 雅尚 について

, 
本多 浩之

本多 浩之 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-260660
公開番号（公開出願番号）：特開2008-084941
出願日： 2006年09月26日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】本発明は、有機半導体層を高精度で簡易的にパターニングすることが可能であり、有機半導体トランジスタを有する有機半導体素子を高い生産性で製造可能な有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、基板を用い、上記基板上に有機半導体材料からなる有機半導体層を形成する、有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上に、真空紫外光に対する遮光性を有するゲート絶縁層をパターン状に形成する、ゲート絶縁層形成工程と、真空紫外光を上記ゲート絶縁層および上記有機半導体層上に照射することにより、上記ゲート絶縁層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程と、を含む有機半導体トランジスタ形成工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を用い、前記基板上に有機半導体材料からなる有機半導体層を形成する、有機半導体層形成工程と、 前記有機半導体層上に、真空紫外光に対する遮光性を有するゲート絶縁層をパターン状に形成する、ゲート絶縁層形成工程と、 真空紫外光を前記ゲート絶縁層および前記有機半導体層上に照射することにより、前記ゲート絶縁層が形成されていない部位の有機半導体層をエッチングする有機半導体層パターニング工程と、を含む有機半導体トランジスタ形成工程を有することを特徴とする、有機半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/302
FI (5件)：
H01L29/78 627C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 619B ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/302 201B
Fターム (27件)：
5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004DB23 ,  5F004EB08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN43 ,  5F110NN49 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM