特許

J-GLOBAL ID：200903001434760684

半導体装置の熱抵抗測定方法

発明者： 植野 利男
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-312032
公開番号（公開出願番号）：特開平5-149996
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：

【要約】【目的】電力用トランジスタ等の半導体装置のチップをモジュール内に組み込んだ状態でモジュール内の関連回路との干渉を防止しつつはんだ付け個所等の熱抵抗を正確に測定する。【構成】第1の測定工程で半導体装置に試験電流を流した状態で一定の測定端子間の電圧を測定し、加熱工程で半導体装置に飽和電流値に相当する加熱電流を流して短時間加熱した直後の第2の測定工程で同じ条件下で測定端子間電圧を測定し、両測定値の差と,加熱工程中に賦与した電力と,測定端子間電圧に固有な温度係数とから熱抵抗を得ることにより、とくに加熱工程中の回路間の干渉を抑えて測定精度を高め、かつ浮遊インダクタンス等に基づく発振を防いで半導体装置が損傷を受けないようにする。

請求項（抜粋）：

モジュールに組み立てられた状態で半導体装置の熱抵抗を測定する方法であって、半導体装置に所定の試験電流を流した状態でその2個の測定端子間の電圧を第1測定値として測定する第1の測定工程と、半導体装置にその飽和電流値に相当する加熱電流を所定時間内流す加熱工程と、第1の測定工程時と同じ試験電流を半導体装置に流した状態で同じ測定端子間電圧を第2測定値として測定する第2の測定工程とを含み、第1測定値と第2測定値の差と加熱工程中に半導体装置に与えた電力と測定端子間電圧の所定の温度係数とから熱抵抗を得るようにしたことを特徴とする半導体装置の熱抵抗測定方法。

IPC (2件)：

G01R 31/26 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-155775
  
• 特開昭64-016972
  
• 特開昭54-005667