特許
J-GLOBAL ID：200903001436979608
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332947
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099271
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 樹脂モールドに対して応力耐性をより高くし、かつ、紫外線照射効率を高くすることを目的とする。【構成】 酸化膜2,アルミ配線3,アルミボンディングパッド3a,シリコン窒化膜4,トランジスタ6などがあらかじめ形成されている半導体基板1上に、末端に水素原子をもち側鎖にメチル基をもつシリコーンラダー系樹脂からなる樹脂膜5を形成する。
請求項（抜粋）：
素子が形成された半導体基板と、その半導体基板上に設けられた応力緩衝膜とを備え、前記応力緩衝膜は、化学式が以下の化1で示され、末端基Rがアルキル基で、側鎖のR’がシクロヘキサン基または低級アルキル基で、前記化学式のnが10以上のシリコーンラダー系樹脂であることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 23/29
, H01L 21/8247
, H01L 23/31
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, C09D183/04 PMS
H01L 23/30 D
, H01L 23/30 F
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
