特許

J-GLOBAL ID：200903001440476343

金属バンプの製造方法

発明者： 落合 正行
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-096525
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283565
出願日： 1996年04月18日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 LSI等の端子部に形成される金属バンプの製造方法に関し、金属バンプ形成を欠損なく、しかも安定的に行い得る金属バンプ製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 異方性エッチングによって凹部の形成が可能な結晶板の凹部11に形成され金属ボール2を電子部品50の電極パッド51に転写する金属バンプの製造方法であって、面方位が(110)面に対して或る角度傾斜した(a b 0)〔a≠b,a≠0,b≠0〕で表される前記結晶板を異方性エッチングして底面が一定方向に傾斜した凹部11を形成し、この凹部11に充填されたはんだペースト1を加熱して生成された金属ボール2を前記電子部品50の電極パッド51に転写して該電極パッド51上に金属バンプ3を形成する。

請求項（抜粋）：

異方性エッチングによって凹部の形成が可能な結晶板の凹部に形成された金属ボールを電子部品の電極パッドに転写する金属バンプの製造方法であって、面方位が(110)面に対して或る角度傾斜した(a b 0)〔a≠b,a≠0,b≠0〕で表される前記結晶板を異方性エッチングして底面が一定方向に傾斜した凹部を形成し、この凹部に充填されたはんだ粒子含有ペーストを加熱して生成された金属ボールを前記電子部品の電極パッドに転写して該電極パッド上に金属バンプを形成するようにしたことを特徴とする金属バンプの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 H