特許
J-GLOBAL ID：200903001442579131
配向性強誘電体薄膜の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-319230
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151602
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 単結晶半導体基板上にエピタキシャルMgOをバッファ層として形成し、その上にエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜を形成した配向性強誘電体薄膜を、容易にかつ安価に製造する方法を提供する。また、不揮発性メモリーややキャパシター、または薄膜光導波路を用いた素子を半導体上に作製する場合に有用である。【構成】 単結晶半導体基板上に気相成長法によりエピタキシャルMgOバッファ層を形成し、さらにその上に有機金属化合物を塗布し、焼成することによってエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜を形成する。前記強誘電体薄膜は、金属アルコキシド、金属塩より選ばれる有機金属化合物を用い、スピンコート法、ディッピング法、スプレー法、スクリーン印刷法、インクジェット法より選ばれる方法によりエピタキシャルMgOバッファ層が形成された基板上に塗布し、その後焼成することによって形成する。
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板上に気相成長法によりエピタキシャルMgOバッファ層を形成し、さらにその上に有機金属化合物を塗布し、焼成することによってエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜を形成することを特徴とする配向性強誘電体薄膜の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/84
, H01B 3/00
, H01L 21/20
