特許
J-GLOBAL ID：200903001442663094
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183075
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005916
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 温度変化に対して光出力の変動が少なく、かつ、外部量子効率が高い面発光型の半導体発光素子を提供する。【構成】 GaAs基板2の上にAlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x≠y)多層反射膜3、下クラッド層4、活性層5、上クラッド層6、電流ブロック層7およびコンタクト層8を順次成長させる。多層反射膜3の反射スペクトルは光の波長が長くなるに従って反射率が高くなる波長領域を有し、その波長領域に活性層5の発光波長λ0を一致させてある。このためには、多層反射膜3を構成する各層の膜厚をそれぞれ異ならせ、多層反射膜3の反射スペクトルのピーク波長λpが活性層5における発光波長λ0の中心波長よりも大きくなるようにすればよい。
請求項（抜粋）：
基板の上方に多層反射膜が形成され、該多層反射膜の上方に活性層が形成され、該活性層の上方から光を出射する半導体発光素子において、上記多層反射膜を構成する各層が、それぞれ異なる膜厚の層によって構成されており、上記多層反射膜の反射スペクトルのピーク波長が、活性層における発光波長の中心波長よりも大きくなっていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (6件)：
H01L 33/00
, G06K 7/10
, H01L 27/15
, H01L 31/12
, H01S 3/18
, B41J 2/44
