特許

J-GLOBAL ID：200903001443586638

半導体装置におけるバリアメタル層の形成方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232365
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066143
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】カバレッジに優れ、従来よりも早い成長速度で形成することができ、しかも絶縁層との密着性に優れ、コンタクト抵抗の低いバリアメタル層の形成方法を提供する。【構成】半導体装置における配線を構成するバリアメタル層の形成方法は、(イ)バリアメタル層を構成する金属元素を含有する第1の原料ガスを用いて第1のバリアメタル層の下層20AをCVD法にて形成し、引き続き、この金属元素と化合物を生成し得る元素を含有する第2の原料ガス及び第1の原料ガスを用い、且つ、第2の原料ガス量/第1の原料ガス量の割合を0から所定の割合まで増加させながら、第1のバリアメタル層の上層20BをCVD法にて形成し、次いで、(ロ)第2の原料ガス量/第1の原料ガス量の割合を、前記所定の割合よりも増加させた状態で、第2のバリアメタル層22を第1のバリアメタル層上にCVD法にて形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置における配線を構成する第1及び第2のバリアメタル層から成るバリアメタル層の形成方法であって、(イ)バリアメタル層を構成する金属元素を含有する第1の原料ガスを用いて第1のバリアメタル層の下層を化学的気相成長法にて形成し、引き続き、該金属元素と化合物を生成し得る元素を含有する第2の原料ガス及び第1の原料ガスを用い、且つ、第2の原料ガス量/第1の原料ガス量の割合を0から所定の割合まで増加させながら、第1のバリアメタル層の上層を化学的気相成長法にて形成し、次いで、(ロ)第2の原料ガス量/第1の原料ガス量の割合を、前記所定の割合よりも増加させた状態で、第2のバリアメタル層を第1のバリアメタル層上に化学的気相成長法にて形成することを特徴とする半導体装置におけるバリアメタル層の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  G01R 33/64 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

G01N 24/14 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C