放射線検出装置

発明者： ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：杉谷勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240026
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068656
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】バイアス電圧による沿面放電を抑える。【解決手段】この発明の放射線検出装置は、放射線感応型のアモルファス半導体厚膜1と電圧印加電極2の間に全面的にキリャア選択性高抵抗膜1Aを形成すると共に、電圧印加電極2の全周に電極未形成域2Aを設けている。その結果、キリャア選択性高抵抗膜1Aのキリャア選択性により、信号応答性を落とさずに暗電流が抑えられる。そして、キリャア選択性高抵抗膜1Aによる被覆により、アモルファス半導体厚膜1の表面抵抗の低下を防止すると同時に、電圧印加電極2の周りに電極未形成域2Aを巡らせることにより、十分な沿面耐圧を確保して、バイアス電圧による沿面放電が抑えられる結果、電圧印加電極2に高いバイアス電圧をかけて十分な検出感度を得ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

放射線が入射することにより電子・正孔対(キャリア)が生成される放射線感応型の半導体膜の表面側に形成された電圧印加電極にバイアス電圧が印加されるとともに、半導体膜の裏面側に形成されたキャリア収集電極に電荷蓄積用のコンデンサと通常時オフ(OFF)状態の電荷読み出し用のスイッチ素子とが接続されていて、放射線照射に伴ってコンデンサに蓄積された電荷が、オン(ON)状態へ移行したスイッチ素子を経由して放射線検出信号として読み出されるよう構成された放射線検出装置において、前記放射線感応型の半導体膜がアモルファス半導体厚膜であって、アモルファス半導体厚膜と電圧印加電極の間にアモルファス半導体厚膜の表面を全面的に覆うようにしてキャリア選択性高抵抗膜が形成されているとともに、電圧印加電極の端縁とアモルファス半導体厚膜の端縁の間には電極未形成域が全周に渡って設けられていることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (4件)：

H01L 27/14 , H01L 27/146 , H01L 31/09 , H04N 5/32

FI (5件)：

H01L 27/14 K , H04N 5/32 , H01L 27/14 C , H01L 27/14 A , H01L 31/00 A

Fターム (31件)：

4M118AA01 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118BA14 , 4M118CA14 , 4M118CB05 , 4M118CB13 , 4M118CB14 , 4M118DD09 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118GA10 , 5C024AA11 , 5C024AA16 , 5C024BA00 , 5C024CA12 , 5C024DA04 , 5C024FA01 , 5C024GA04 , 5C024GA31 , 5C024HA27 , 5C024JA04 , 5C024JA22 , 5F088AB05 , 5F088BA03 , 5F088DA01 , 5F088KA08 , 5F088LA07 , 5F088LA08

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