特許

J-GLOBAL ID：200903001454847867

エッチング方法

発明者： 山本 直志 ,  小風 豊 ,  松浦 正道
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 慎吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-091831
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278457
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】 トンネル接合膜10aを所定形状にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】 ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、TiN、Ti、Ta、ZrまたはHfからなるマスク90を用いて、エッチング対象物を100°C以上400°C以下に加熱しつつトンネル接合膜10aをエッチングして、所定形状のトンネル接合素子10を形成する構成とした。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、TiN、Ti、Ta、ZrまたはHfからなるマスクを用いて、磁性材料膜を所定パターンにエッチングすることを特徴とするエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (4件)：

H01L21/302 101C ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447

Fターム (20件)：

5F004AA02 ,  5F004BA20 ,  5F004BB26 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA26 ,  5F004DB29 ,  5F004EA05 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ドライエッチング用マスク材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-224248   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構, 科学技術振興事業団, アネルバ株式会社

審査官引用 (3件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-128792   出願人：日本電気株式会社
• 磁性体薄膜の加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-074319   出願人：株式会社東芝
• 磁気メモリ装置の製造方法および磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-129509   出願人：ソニー株式会社