特許
J-GLOBAL ID：200903001459505220
薄膜トランジスタとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-015252
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104281
出願日： 1991年02月06日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は形成方法及び膜厚の異なる絶縁膜を、同時に一回でコンタクトホールをあけることである。【構成】 本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、化学気相成長法またはスパッタ法で層間絶縁膜になり二酸化珪素層を二回に分けて形成する。一回目に形成した二酸化珪素層103を高温でアニールすることで、該膜のエッチング速度をゲート絶縁膜となる熱酸化で形成した二酸化珪素層107と同じにし、ソース及びドレイン領域101上にあけるコンタクトホール110aとゲート電極104上にあけるコンタクトホール110bを一度で同時に開口し、かつ形状と大きさを同じにすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に形成された薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス素子において、a)多結晶珪素によりゲート電極、ゲート線及び容量線を形成する工程と、b)前記多結晶珪素層の上に、化学気相成長法またはスパッタ法で第二二酸化珪素層を形成する工程と、c)前記第二二酸化珪素層形成後にアニールする工程と、d)前記のアニール後の第二二酸化珪素層をパターニングし、ゲート線及び容量線の一部を露出する工程と、e)次に、金属層を形成する工程と、f)前記金属層が、前記多結晶珪素層で形成されたゲート線及び容量線に対応する部分には残るようにパターニングをおこなう工程と、g)次に、化学気相成長法またはスパッタ法で第三二酸化珪素層を形成する工程と、h)前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン領域から引出し配線を形成するために、熱酸化法などにより形成されたゲート絶縁膜となるべき第一二酸化珪素層と、前記の熱処理された第二二酸化珪素層と、第三二酸化珪素層の三層を一度でコンタクトホールを開口する工程と、ゲート領域から引出し配線を形成するために、前記の熱処理された第二二酸化珪素層と、前記第三二酸化珪素層の二層を一度でコンタクトホールを開口する工程を、同時に行なうことを特徴とする薄膜トランジスタとその製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, G02F 1/136 500
