特許

J-GLOBAL ID：200903001466521800

透明導電膜、及びその形成方法

発明者： 中林 一朗 ,  森賀 俊広 ,  富永 喜久雄
出願人/特許権者： 大倉工業株式会社 ,  中林 一朗 ,  森賀 俊広 ,  富永 喜久雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-150052
公開番号（公開出願番号）：特開2003-346559
出願日： 2002年05月24日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】目的とする組成の焼結ターゲットを用意しなくても所望するk値の非晶質のホモロガス化合物からなる透明導電膜を形成すること、特に、従来得られないとされていたk=1のホモロガス化合物からなる透明導電膜や、結晶化しやすいk=4の非晶質のホモロガス化合物からなる透明導電膜を容易に形成する方法を提供すること。【解決手段】ZnkIn2Ok+3(kは1〜4の整数。)で表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明導電膜を酸化インジウムターゲット(TIn)と酸化亜鉛ターゲット(TZn)とを互いに対向するように配置して、基板温度が200°C以下、かつδ=IIn/(IIn+IZn)で定義されるTInに印可した電流値(IIn)とTZnに印可した電流値(IZn)との電流比δが0.30〜0.80の条件下でスパッタリングすることにより基板上に形成する。

請求項（抜粋）：

ZnkIn2Ok+3(kは1〜4の整数。)で表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明導電膜。

IPC (5件)：

H01B 5/14 ,  C23C 14/08 ,  H01B 13/00 ,  C01G 15/00 ,  G02F 1/1343

FI (5件)：

H01B 5/14 A ,  C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 B ,  C01G 15/00 B ,  G02F 1/1343

Fターム (23件)：

2H092HA03 ,  2H092HA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA25 ,  2H092NA28 ,  2H092PA07 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC32 ,  4K029DC34 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 導電性透明基材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315075   出願人：出光興産株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ZnO-In2O3系透明導電性酸化物