特許
J-GLOBAL ID：200903001467749244
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-138132
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104226
出願日： 1992年05月29日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 エッチング中にマスクを変形させることで単なるマスクパターンの転写ではできない凸レンズ、フレネルレンズのような立体的な構造を作製する方法を提供する。【構成】 GaAs基板5をエッチングする際に基板のエッチャントである塩素とともにフォトレジストマスクのエッチャントである酸素を混ぜてエッチングを行う。マスクは基板のエッチングの進行とともに後退していき、マスク面積が減少する。これによって、円形マスクパターンを用いてこのエッチング方法を実施することで凸レンズが形成される。
請求項（抜粋）：
ドライエッチングを行う工程において、基板を反応性エッチングするガスとマスク材をエッチングするガスを混ぜるかまたは交互に供給することにより、マスクの形状を変化させつつ基板のエッチンクを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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