特許

J-GLOBAL ID：200903001471043330

レーザ照射方法およびレーザ照射装置

発明者： 奥村 展 ,  田邉 浩
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072338
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274095
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】非単結晶半導体薄膜に線状パルスレーザ光をスキャン照射して多結晶半導体薄膜を形成する際に、結晶組織に不均質性を生むビーム端の影響を除去し、均質な薄膜を得る。【解決手段】レーザ光の幅方向のビームプロファイルが、走査方向に沿って順に、多結晶半導体薄膜の微結晶化しきい値Ep以上の領域と、多結晶薄膜の微結晶化しきい値EP未満の定エネルギー密度領域とを有するパルスレーザ光を、該定エネルギー密度領域の幅以下のピッチXで、スキャン照射する。

請求項（抜粋）：

線状または矩形状の照射領域を有するパルスレーザ光を、幅方向に沿って照射領域が部分的に重なるように走査し、非単結晶半導体薄膜に対しレーザ照射を行うレーザ照射方法であって、非晶質の微結晶化しきい値をEa、多結晶の微結晶化しきい値をEpとしたときに、該照射領域は、Ea未満のエネルギー密度を有する多結晶化領域と、Ea以上Ep未満のエネルギー密度を有する第一微結晶化領域と、Ep以上のエネルギー密度を有する第二微結晶化領域とを含み、該第二微結晶化領域の中心位置が照射領域中心位置に対し走査方向前方側にあることを特徴とするレーザ照射方法。

IPC (2件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 21/268 F ,  H01L 21/268 J ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体膜のレーザーアニール方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-217424   出願人：三洋電機株式会社