特許

J-GLOBAL ID：200903001472810423

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 青木 英雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-276327
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139175
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 微細MOSFETにおいて、信頼性を低下させることなく、高速動作を実現する。【構成】 ゲート電極6およびソース、ドレイン領域7の表面に低抵抗チタンシリサイド膜(TiSi2)11が形成されたアクティブ領域のMOSFETのゲート電極6の厚さが、フィールド絶縁膜3上のMOSFETのゲート電極6の厚さよりも厚く形成されており、アクティブ領域の前記MOSFETにおけるゲート電極6の表面に形成された低抵抗チタンシリサイド膜(TiSi2)11とソース、ドレイン領域7の表面に形成された低抵抗チタンシリサイド膜(TiSi2)11の接触を防いでいる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極およびソース、ドレイン領域のそれぞれの表面にシリサイド膜を形成したMOSFETを有する半導体集積回路装置であって、アクティブ領域上における前記ゲート電極の厚さを、フィールド領域上における前記ゲート電極の厚さよりも厚くしたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/76 S ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 R