特許

J-GLOBAL ID：200903001474855564

酸化物超電導体及び製造方法

発明者： 矢加部 久孝 ,  腰塚 直己 ,  久米 篤 ,  塩原 融 ,  田中 昭二
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  東京瓦斯株式会社 ,  株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187248
公開番号（公開出願番号）：特開平8-048520
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 Cu-1212構造物質からなる酸化物超電導体を提供する。また、T1,Pb,Y等の元素を含んでいないCu-12(n-1)n構造物質を熱プラズマ蒸着法によって合成する酸化物超電導体製造方法を提供する。【構成】 Ca,Ba,Cuのみによって合成され、化学組成式がBa2CanCun+1O6+δ(0≦δ,δ≦1)で表される酸化物超電導体である。その合成法は、熱プラズマ蒸着法を用い、酸素プラズマ中に、Ba:Ca:Cu=x:y:z(0.8≦x+y/z,x+y/z≦1.2,0.5≦x/y,x/y≦1)になるように混合した原料粉を900〜1000°Cで仮焼した後再び粉末化して供給し、原料をプラズマ化した後、基板上に蒸着する合成法である。合成条件として酸素ガス流量、酸素プラズマパワー、基板温度を調整することにより、化学組成式がBa2CanCu2n+1O3n+3+δ(0≦δ,δ≦1,n≧1)で表される酸化物が合成可能である。

請求項（抜粋）：

Ca,Ba,Cu及び酸素で構成され、化学組成式がBa2CaCu3O6+δ(0≦δ,δ≦1)で表される酸化物超電導体。

IPC (7件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/08 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA