特許

J-GLOBAL ID：200903001477720589

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 義和
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-150700
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206219
出願日： 1991年06月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】 インナリードのメッキ表面を、絶縁被覆膜で覆うことにより、インナリードと半導体素子が接触しても、電気的短絡不良にならないようにする。【構成】 フィルムキャリア方式パッケージのインナリード10のメッキ表面を、絶縁被覆膜13で覆うことにより、半導体素子16をボンディングした場合、ボンディングツールの熱、荷重により、インナリード10のボンディング部のみ絶縁被覆膜13が溶け上がり、半導体素子16の突起状電極17と接合され、そのボンディング部以外は、絶縁被覆膜13で覆われるために、インナリード10による半導体素子16の短絡やインナリード10間の接触による電気的不良を防止することができる。

請求項（抜粋）：

(a)フィルムキャリア方式パッケージのインナリード部全面に絶縁コートする工程と、(b)該絶縁コートされたインナリード部と、半導体素子の電極とを熱圧着して接続する工程とを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。