微細パターン形成材料および電子デバイスの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高田守 , 葛野信一 , 高橋英樹 , 大阿久敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-275405
公開番号（公開出願番号）：特開2004-086203
出願日： 2003年07月16日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】フォトリソグラフィ技術における露光波長の限界を超えて微細パターンの形成を可能とする微細パターン形成材料およびこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】水またはアルカリに可溶な樹脂と、ピナコールと、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を含有してなり、酸を供給し得るレジストパターンの上に形成され、このレジストパターンからの酸によりレジストパターンに接する部分で極性変化を起こして水またはアルカリに不溶な膜を形成することを特徴とする微細パターン形成材料を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸を発生するレジストパターンの上に形成される極性変化材料と、水または水および水溶性有機溶媒の混合溶媒とを含有する微細パターン形成材料であって、前記極性変化材料は水またはアルカリに可溶であり、前記極性変化材料の前記レジストパターンに接する部分で前記レジストパターンからの酸による極性変化を受けて水およびアルカリの少なくとも一方に不溶な不溶化膜を形成することを特徴とする微細パターン形成材料。

IPC (5件)：

G03F7/40 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027

FI (5件)：

G03F7/40 511 , G03F7/039 601 , G03F7/11 , G03F7/26 511 , H01L21/30 570

Fターム (21件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE01 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB29 , 2H025DA29 , 2H025DA40 , 2H025FA17 , 2H025FA33 , 2H025FA39 , 2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096EA02 , 2H096EA05 , 2H096HA05 , 2H096HA30 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3071401号公報

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