特許

J-GLOBAL ID：200903001484631516

半導体光導波路とその製造方法

発明者： 阪田 康隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072935
公開番号（公開出願番号）：特開平8-271743
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】低反射端面を実現するための窓構造を持つ半導体光導波路において、MOVPE選択成長の手法により、導波路方向でクラッド層の成長速度を制御することにより、クラッド層に段差が生じない構造を実現し、それにより、制御性、再現性に優れる低反射端面構造を提供する。【構成】n-InP基板101上[011]方向に、一対のSiO2 ストライプマスクを間隔1.5μmで形成し、この1.5μmの領域へMOVPE選択成長により、活性層104を含む多層構造を形成する。この時、窓構造の領域ではSiO2 ストライプマスク間隔をゼロとすることで、半導体のエッチングを行うことなく窓構造を作製する。また、窓領域マスク幅をそれ以外の領域より、大きくしておくことで、次のクラッド層106の選択成長後、窓領域でクラッド層の段差が発生することを防止する。

請求項（抜粋）：

光導波路端部のバンドギャップエネルギーが導波光のエネルギーよりも大きい窓構造付半導体光導波路において、該光導波路のクラッド層が導波路方向に窓領域と非窓領域の間で段差を持たないことを特徴とする半導体光導波路。

IPC (3件)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/13 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

G02B 6/12 A ,  H01S 3/18 ,  G02B 6/12 M