特許

J-GLOBAL ID：200903001485180240

半導体発光素子

発明者： 斎 藤 真 司 ,  藤 本 英 俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-193366
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031591
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 光のしみ出しを防止することにより電気特性や光学特性を改善するとともに、サファイアなどの基板上に良質な混晶層を成長させ、高性能の半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板側のクラッド層をAlGaN/GaNなどの超格子とし、かつそれより基板側にはGaNなどの高屈折率材料を設けず、電流の活性層への注入を電極下の乱雑層と超格子にした2次元電子ガスによる横輸送とで行うことにより解決する。さらに、基板上に成長される窒化物半導体の層構造全体を薄膜の積層構造とすることにより、格子不整に起因する歪は緩和され、結晶欠陥を生ずることなく、比較的厚い混晶膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体からなるバリア層と窒化物半導体からなるウエル層とを交互に積層してなる超格子層であって、その主面に第1の領域と第2の領域とを備えた超格子層と、前記第1の領域の上に設けられ、前記超格子層の平均屈折率よりも大きい平均屈折率を有する窒化物半導体層と、前記第2の領域の上に設けられた電極と、前記ウエル層の側面と前記電極とを接続する接続手段と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Fターム (31件)：

5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB04 ,  5F041CB05 ,  5F041FF16 ,  5F073AA04 ,  5F073AA09 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073DA14 ,  5F073DA15 ,  5F073EA14 ,  5F073EA19 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28