誘電体素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149523
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343641
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】強誘電体の自発分極による内部電界によって、強誘電体中に含まれる可動イオンが動くが、前記強誘電体に燐(P)をドーピングすることにより、可動イオンをゲッタリングし、データ保持特性の優れた強誘電体キャパシタを提供する。また、PZTへの不純物のドーピングをPZT主成分の誘電体薄膜形成と独立に制御して、誘電率、リーク電流、残留分極等の特性を向上する。【構成】強誘電体が2つの電極によって挟まれた誘電体素子に於いて、強誘電体膜であるPZTに、不純物として燐がドーピングされている。また、PZTへの不純物のドーピング方法として、PZT主成分の誘電体膜形成後にドーピングを行なう。

請求項（抜粋）：