特許
J-GLOBAL ID:200903001486549019
基板、プローブカード・アセンブリ用基板および基板の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-083963
公開番号(公開出願番号):特開2009-236721
出願日: 2008年03月27日
公開日(公表日): 2009年10月15日
要約:
【課題】ビア導体および導体パターン層の接合強度を向上させること。【解決手段】基板の製造方法は、次の工程を有している。(A)基体11のビアホール11h内に導体ペーストを充填する工程、(B)ビアホール11hを覆うように基体11に重ねられた樹脂製シートに圧力を加えることによって、導体ペーストの端部に窪みを形成する工程、(C)導体ペーストを硬化させることによって、ビア導体12を形成する工程、(D)ビア導体12の窪みの内側に金属材料からなる介在層14を形成する工程、(E)介在層14上および基体11の表面上に導体パターン層17を形成する工程。【選択図】図5A
請求項(抜粋):
基体のビアホール内に導体ペーストを充填する工程と、
前記ビアホールを覆うように前記基体に重ねられた樹脂製シートに圧力を加えることによって、前記導体ペーストの端部に窪みを形成する工程と、
前記導体ペーストを硬化させることによって、ビア導体を形成する工程と、
前記ビア導体の窪みの内側に金属材料からなる介在層を形成する工程と、
前記介在層上および前記基体の前記表面上に導体パターン層を形成する工程と、
を有する基板の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
G01R1/073 E
, H01L21/66 B
Fターム (8件):
2G011AA16
, 2G011AA21
, 2G011AB06
, 2G011AE03
, 2G011AF07
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106DD10
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
半導体検査装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-271804
出願人:株式会社日立製作所
審査官引用 (5件)
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