特許
J-GLOBAL ID:200903001487786880

樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-184575
公開番号(公開出願番号):特開平6-097343
出願日: 1993年07月27日
公開日(公表日): 1994年04月08日
要約:
【要約】【目的】半導体装置をプリント基板に実装する際の接続不良をなくした樹脂封止型半導体装置の実用的な製造方法及びその製造装置を提供する。【構成】樹脂封止が完了したリードフレーム30の封止樹脂部32を上側の部材49,59の平坦下面49’,59’と下側の部材41の平坦上面41’とで挟んで一定時間加圧し、これにより封止樹脂部の反りを矯正する。その後、半導体装置の中間製品をリードフレーム30から切り離して外部リード31の成形を行なう。
請求項(抜粋):
半導体素子をリードフレームの所定箇所に載置し、前記リードフレームの複数のリードの接続領域と前記半導体素子の複数の接続箇所とを金属細線でそれぞれ接続し、前記半導体素子、前記金属細線ならびに前記リードの接続領域およびその近傍を封止樹脂部で封止する工程と、前記封止樹脂部の両主面の反りを矯正する工程と、前記封止樹脂部から導出した複数の前記リードの所定箇所を切断することにより、矯正された前記封止樹脂部の側面から所定の長さ前記リードが導出した中間製品を前記リードフレームから切り離す工程と、前記リードフレームから切り離された前記中間製品の前記リードを成形する工程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/56
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭64-057630
  • 特開平3-102859

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