特許

J-GLOBAL ID：200903001492811833

電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法、及び該方法により構成された電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板、又は有機EL素子

発明者： 北畠 顕弘 ,  城戸 淳二 ,  城戸 直道 ,  梶川 不二雄
出願人/特許権者： 三容真空工業株式会社 ,  城戸 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-337200
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109748
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、水蒸気バリア性、ガスバリア性に優れたプラスチックレンズ基板を用いて軽量、且つ長時間にわたり発光特性を維持することのできる電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法、及び該方法により構成された電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板、又は有機EL素子を提供することを課題とする。【解決手段】 水蒸気バリア層、及びガスバリア層を有する電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法であって、水蒸気バリア層、及びガスバリア層を少なくとも一対の無機層と有機層とからなる無機/有機積層膜で形成し、且つ有機層を熱化学蒸着法、或いはプラズマ重合法を用いて形成することである。

請求項（抜粋）：

水蒸気バリア層、及びガスバリア層を有する電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法であって、水蒸気バリア層、及びガスバリア層を少なくとも一対の無機層と有機層とからなる無機/有機積層膜で形成し、且つ有機層を熱化学蒸着法、或いはプラズマ重合法を用いて形成することを特徴とする電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法。

IPC (6件)：

H05B 33/02 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/20 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (6件)：

H05B 33/02 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/20 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (30件)：

3K007AB13 ,  3K007CA05 ,  3K007DB03 ,  4F100AA01A ,  4F100AA12A ,  4F100AA20A ,  4F100AA33A ,  4F100AK01B ,  4F100AK02B ,  4F100AK42 ,  4F100AK43 ,  4F100AK45 ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100EH66B ,  4F100EJ61B ,  4F100GB41 ,  4F100JD02B ,  4F100JD04A ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029AA25 ,  4K029BA35 ,  4K029BA50 ,  4K029BA58 ,  4K029BA62 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029CA05 ,  4K029CA12