特許

J-GLOBAL ID：200903001493395728

レジスト除去方法およびレジスト除去装置

発明者： 阿部 仁
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-041399
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243335
出願日： 2002年02月19日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】Low-k膜等の有機物膜上のレジストを有機物膜にダメージを与えずに短時間で除去できるレジスト除去方法およびレジスト除去装置を提供する。【解決手段】有機系低誘電率層間絶縁膜上に形成されたレジストの一部にアッシングを行う工程と、アッシングにより生成し、有機系低誘電率層間絶縁膜に付着する固形物とレジストの残りを含むアッシング残渣に、オゾンガスおよび純水の蒸気を同時に供給し、アッシング残渣を水溶性に変質させる工程と、アッシング残渣を純水で洗浄して除去する工程とを有するレジスト除去方法およびそれに用いるレジスト除去装置。

請求項（抜粋）：

レジストの一部にアッシングを行う工程と、前記アッシングにより生成する固形物と前記レジストの残りを含むアッシング残渣に、オゾンガスおよび純水の蒸気を同時に供給し、前記アッシング残渣を水溶性に変質させる工程と、前記アッシング残渣を純水で洗浄して除去する工程とを有するレジスト除去方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 201 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 647

FI (5件)：

H01L 21/302 201 A ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 645 B ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/30 572 A

Fターム (10件)：

2H096AA25 ,  2H096LA02 ,  5F004AA09 ,  5F004BA19 ,  5F004BC07 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F004EB01 ,  5F046MA11 ,  5F046MA17