特許

J-GLOBAL ID：200903001496160497

半導体集積回路装置

発明者： 塩沢 健治 ,  湯本 攻
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316401
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162302
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体基体1の素子形成領域の主面に他の領域と分離された島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面にMISFETを塔載する半導体集積回路装置の集積度を高めることができない。また、前記MISFETのしきい値電圧の安定化を図ることができない。【解決手段】 前記半導体集積回路装置であって、前記島領域3A(又は3B)の素子形成領域の主面の一部の領域に前記MISFETQp(又はQn)のソース領域及びドレイン領域を配置し、前記島領域3A(又は3B)の素子形成領域の主面の他部の領域に、前記MISFETQp(又はQn)のチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域10A(又は9A)を配置する。

請求項（抜粋）：

半導体基体の素子形成領域の主面に他の領域と絶縁分離された島領域を形成し、この島領域の素子形成領域の主面にMISFETを塔載する半導体集積回路装置であって、前記島領域の素子形成領域の主面の一部の領域に前記MISFETのソース領域及びドレイン領域を配置し、前記島領域の素子形成領域の主面の他部の領域に、前記MISFETのチャネル形成領域と電気的に接続される給電用コンタクト領域を配置したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 27/08 321 F ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 29/78 613 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-205356
  
• 特開平4-259259
  
• 特開昭55-058543
  
• 特開昭59-220961