特許
J-GLOBAL ID：200903001499546787
半導体単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125270
公開番号（公開出願番号）：特開平6-206789
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 低酸素濃度の単結晶を製造するため、ホットゾーンパーツと融液との温度勾配を小さくすることができるような半導体単結晶の製造方法を提供する。【構成】 輻射スクリーン7,9を担持するサポート8の垂直方向長さLを、従来の単結晶製造装置のサポート長さL′より短くし、輻射スクリーンで被覆されるるつぼ上方空間の容積を小さくしてホットゾーンパーツの保温性を向上させる。これにより黒鉛ヒータ5の所要電力が小さく抑えられ、石英るつぼ3から融液4に溶け込む酸素量が減るので、低酸素濃度の単結晶が得られる。また、輻射スクリーン7の上面およびサポート8の外周に断熱材を装着すればホットゾーンパーツと融液との温度勾配が更に小さくなるので、より酸素濃度の低い単結晶を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶の原料を充填するるつぼと、このるつぼの周囲にあってるつぼ内の原料を溶解するヒータと、溶解した原料に種子結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構と、単結晶の周囲を取り囲む輻射スクリーンを融液近傍上方に配設した単結晶製造装置において、ホットゾーンパーツと融液との温度勾配を小さくするように制御することによって、低酸素濃度の単結晶を育成することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 15/00
, C30B 15/14
, H01L 21/208
