特許

J-GLOBAL ID：200903001501097804

導電膜とその形成方法及び磁気抵抗効果ヘッド

発明者： 山本 憲郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-282139
公開番号（公開出願番号）：特開平9-125231
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：

【要約】【課題】α相のタンタルを有する導電膜に関し、酸の耐腐食性に優れ、マイグレーションが極めて生じ難く、しかも十分に低い抵抗率を得ること。【解決手段】窒素を含むチタンタングステン層2と、該チタンタングステン層2上に形成されたα相のタンタル層3とを含む。

請求項（抜粋）：

窒素を含む雰囲気中でチタンタングステン層を基板上に形成する工程と、α相のタンタル層を前記チタンタングステン層の上に形成する工程とを有することを特徴とする導電膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/06 ,  H01B 13/00 503

FI (2件)：

C23C 14/06 N ,  H01B 13/00 503 Z