特許

J-GLOBAL ID：200903001501743404

半導体薄膜サーミスタおよび赤外線検出素子

発明者： 友成 恵昭 ,  柿手 啓治 ,  阪井 淳 ,  相澤 浩一 ,  中邑 卓郎
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068121
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196307
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 半導体薄膜が高い抵抗変化率を維持できるともに、金属電極との間に良好なコンタクトを得ることができる半導体薄膜サーミスタを提供し、さらには、この半導体薄膜サーミスタを検出部に用いた、低ノイズ・高感度な赤外線検出素子を提供する。【構成】 この発明は、温度の変化によって抵抗値が変化する半導体薄膜1にそれぞれ接するようにして一対の金属電極2a,2bが設けられている半導体薄膜サーミスタにおいて、前記半導体薄膜が、前記一対の金属電極と非接触に配置されたアモルファス合金半導体薄膜11と、このアモルファス合金半導体薄膜と前記一対の金属電極の間に配置された単一元素半導体薄膜12a,12bとからなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

温度の変化によって抵抗値が変化する抵抗体が半導体薄膜で形成されており、この半導体薄膜にそれぞれ接するようにして一対の金属電極が設けられている半導体薄膜サーミスタにおいて、前記半導体薄膜が、前記一対の金属電極と非接触に配置されたアモルファス合金半導体薄膜と、このアモルファス合金半導体薄膜と前記一対の金属電極の間に配置された単一元素半導体薄膜とからなることを特徴とする半導体薄膜サーミスタ。

IPC (5件)：

H01C 7/04 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  G01K 7/16 ,  H01L 37/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-030730
  
• 特開昭62-245602