特許

J-GLOBAL ID：200903001503973873

SOIウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるSOIウエーハ

発明者： 阿賀 浩司 ,  三谷 清 ,  稲月 判臣
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-279878
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102848
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 イオン注入したウエーハを結合及び分離するSOIウエーハ製造法で得られた劈開面に深く存在する結晶欠陥を確実に除去し、膜厚均一性を有し、結晶性の優れた薄膜SOI層を有するSOIウエーハを、比較的簡単にかつ低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】 二枚のシリコンウエーハ20,21のうち、少なくとも一方20に酸化膜30を形成すると共に、他方のシリコンウエーハ21の上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層40を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜30を介して他方のシリコンウエーハ20と密着させ、その後熱処理により微小気泡層を劈開面50として一方のウエーハ21を薄膜状に分離する。得られたSOIウエーハの劈開面の欠陥層を気相エッチングにより200nm以上除去した後鏡面研磨することにより極低欠陥で膜厚均一性の高いSOIウエーハが得られた。

請求項（抜粋）：

二枚のシリコンウエーハのうち、少なくとも一方に酸化膜を形成すると共に、一方のシリコンウエーハの上面から水素イオンまたは希ガスイオンを注入し、該ウエーハ内部に微小気泡層(封入層)を形成させた後、該イオンを注入した方の面を酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて微小気泡層を劈開面として一方のウエーハを薄膜状に分離するSOIウエーハの製造方法において、得られたSOIウエーハの劈開面の欠陥層を気相エッチングにより除去することを特徴とするSOIウエーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 21/265 Q