特許

J-GLOBAL ID：200903001505327170

光半導体装置

発明者： 岸田 裕司 ,  松原 孝宏 ,  瀬戸口 勝秀 ,  米田 竜司 ,  久芳 豊
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279585
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102489
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 高速で半導体から成るサブ基板上に配設した光半導体素子を駆動する場合において、サブ基板の影響を無くし、特性が良好な光半導体装置を提供すること。【解決手段】 誘電体から成るベース基板8及び半導体から成るサブ基板1の各々の一主面上に、マイクロ波伝送用の線状電極(41,42,81,82)を形成し、サブ基板1に形成された線状電極の一部に光半導体素子2を接続配置するとともに、ベース基板8とサブ基板1とを、双方に形成された線状電極どうしが接続されるように接合させたことを特徴とする光半導体装置Mとした。

請求項（抜粋）：

誘電体から成るベース基板及び半導体から成るサブ基板の各々の一主面上にマイクロ波伝送用の線状電極を形成し、前記サブ基板に形成された線状電極の一部に光半導体素子を接続配置するとともに、前記ベース基板と前記サブ基板とを、双方に形成された線状電極どうしが接続されるように接合させたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 301 ,  H01S 5/022

FI (2件)：

H01L 23/12 301 Z ,  H01S 5/022

Fターム (7件)：

5F073BA01 ,  5F073EA14 ,  5F073FA07 ,  5F073FA13 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA29

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-212440
  
• 光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-313318   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平4-212440
  
• 光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-313318   出願人：日本電気株式会社