特許

J-GLOBAL ID：200903001510537647

成膜室の洗浄化方法

発明者： 下村 幸二 ,  堀岡 啓治 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232866
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094418
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】選択CVD法による金属膜の選択成長の際に、所定部分以外に被着した金属膜を、成膜の選択性を劣化させることなく、所定部分以外に被着した金属膜を選択的に除去できる成膜室の洗浄化方法を提供すること。【構成】タングステン膜の選択CVD法を行なった後、このタングステン膜が形成されている被処理基体7を反応室3の外に取り出し、続いて、三フッ化塩素(ClF3 )ガスを反応室3内に導入して、上記のタングステン膜の成膜工程中に、石英サセプタ6および石英製固定冶具10等に被着したタングステン膜を選択的に除去する。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化物で形成された部材を有する成膜室内に被処理基体を導入し、この被処理基体上に金属膜をCVD法により選択的に形成する工程と、前記被処理基体を前記成膜室から取り出した後、弗素元素と弗素元素以外のハロゲン元素とを含むハロゲン間化合物ガスを前記成膜室内に導入し、前記金属膜の形成工程で、前記成膜室内に形成された前記金属膜を選択的に除去する工程とを有することを特徴とする成膜室の洗浄化方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 22/40 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-017857
  
• 特開平1-152274
  
• 特開平1-307763
  
• 特開平4-162713