特許
J-GLOBAL ID:200903001515953002
非磁性セラミックスとその製造方法及びこれを用いた磁気ヘッド用基板
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-275417
公開番号(公開出願番号):特開2003-089573
出願日: 2001年09月11日
公開日(公表日): 2003年03月28日
要約:
【要約】【課題】磁気ヘッドにおける素子部の放熱性が低く、安定した浮上高さを保持できない。【解決手段】Al2O3を主成分とし、SiCを30〜46重量%含有してなるムライト相を有する非磁性セラミックスであって、X線回折におけるSiCのピーク強度の最大値に対する3Al2O3・2SiO2(ムライト)のピーク強度の最大値の比が0.04以下である。
請求項(抜粋):
Al2O3を主成分として、SiCを30〜46重量%含有してなるムライト相を有する非磁性セラミックスであって、X線回折におけるSiCのピーク強度の最大値に対する3Al2O3・2SiO2(ムライト)のピーク強度の最大値の比が0.04以下であることを特徴とする非磁性セラミックス。
IPC (4件):
C04B 35/10
, G11B 5/31
, G11B 5/39
, G11B 5/60
FI (4件):
G11B 5/31 G
, G11B 5/39
, G11B 5/60 B
, C04B 35/10 E
Fターム (19件):
4G030AA36
, 4G030AA47
, 4G030BA13
, 4G030BA19
, 4G030CA01
, 4G030GA04
, 4G030GA05
, 4G030GA14
, 4G030GA29
, 5D033BA52
, 5D033CA07
, 5D033DA31
, 5D034BA16
, 5D034CA02
, 5D034DA07
, 5D042NA02
, 5D042PA08
, 5D042PA09
, 5D042SA01
引用特許:
出願人引用 (7件)
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特開昭63-018511
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半導体装置用基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-005466
出願人:富士電機株式会社
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特開昭62-250506
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審査官引用 (17件)
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特開昭63-018511
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特開昭63-018511
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特開昭63-018511
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半導体装置用基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-005466
出願人:富士電機株式会社
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特開昭62-250506
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特開昭62-250506
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特開昭62-250506
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特開昭59-039766
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特開昭59-039766
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特開昭59-039766
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特開昭64-079063
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特開昭64-079063
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特開昭64-079063
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特開昭63-129059
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特開昭63-129059
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特開昭63-129059
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記録再生ヘッド用非磁性セラミックスおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-027807
出願人:京セラ株式会社
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