特許

J-GLOBAL ID：200903001520152620

電子線露光用マスク及びその製造方法

発明者： 小日向 秀夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213643
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044103
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 微細パターンの形成と機械的強度の向上とを両立させる。【解決手段】 開示されている電子線露光用マスク1は、開口3が形成されている基板部2と、この基板部2により支持された薄膜部4とから構成され、薄膜部4に小厚半導体活性膜(第1の半導体膜)6Aと、この小厚半導体活性膜6Aよりも膜厚が厚い大厚半導体活性膜(第2の半導体膜)6Bとが形成され、小厚半導体活性膜6Aに小径開口8Aを有する微細パターン部7Aが形成される一方、大厚半導体活性膜6Bに大径開口8Bを有する大寸法パターン部7Bが形成されている。

請求項（抜粋）：

基板部と、該基板部により支持された薄膜部とから構成され、該薄膜部には埋め込み絶縁膜を介して形成された半導体膜に所望の形状のパターン部が形成されてなる電子線露光用マスクであって、前記薄膜部に第1の半導体膜と該第1の半導体膜よりも膜厚が厚い第2の半導体膜が形成され、前記第1の半導体膜に小径開口を有する微細パターン部が形成されている一方、前記第2の半導体膜に大径開口を有する大寸法パターン部が形成されていることを特徴とする電子線露光用マスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (3件)：

H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 B ,  G03F 1/16 E

Fターム (12件)：

2H095BA08 ,  2H095BB02 ,  2H095BB14 ,  2H095BB35 ,  2H095BB37 ,  2H095BC09 ,  2H095BC27 ,  5F056AA06 ,  5F056AA22 ,  5F056EA04 ,  5F056FA05 ,  5F056FA07